| 製造業者識別番号 | BSB012N03LX3 G |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 20200 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | BSB012N03LX3 G.pdf |
| 部品番号 | BSB012N03LX3 G |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 39A (Ta), 180A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.2 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 169nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 16900pF @ 15V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| パッケージ/ケース | 3-WDSON |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | BSB012N03LX3 G |
QY Componentsには、最高の価格があります。 BSB012N03LX3 G, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 BSB012N03LX3 G, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます BSB012N03LX3 G, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった IRAMS10UP60B-2, IRAMS10UP60B-3, IRAMS10UP60B-4, IRAMX16UP60A-2, IRAMX16UP60B, IRAMX16UP60B-2, IRAMX20UP60A, IRAMX20UP60A-2, IRAMY20UP60B, ICE3AR0680JZXKLA1 IPW60R125CPFKSA1, IPZ60R099C7XKSA1, IPW60R070P6XKSA1, IXFQ50N60P3, IPW65R099C6FKSA1, IXTH48N65X2, STP36N55M5, IXFT36N50P, IXTH50P10, IXFH340N075T2.
購入 Infineon Technologies BSB012N03LX3 G 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。