| 製造業者識別番号 | BSC019N04NSGATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 110200 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | BSC019N04NSGATMA1.pdf |
| 部品番号 | BSC019N04NSGATMA1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Ta), 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.9 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 85µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 108nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8800pF @ 20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | BSC019N04NSGATMA1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 BSC019N04NSGATMA1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 BSC019N04NSGATMA1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます BSC019N04NSGATMA1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった AUIRF7313QTR, AUIRF7342QTR, IRFH4253DTRPBF, IRFI4212H-117P, DF23MR12W1M1B11BOMA1, IRFI4019H-117P, BTS50301EJAXUMA1, BSP742TXUMA1, ISP752RFUMA1, BSP752TXUMA1 CMPDM7002AG TR, 2N7002E-T1-GE3, 2N7002-T1-GE3, DMP22D6UT-7, DMP3160L-7, SI1031R-T1-GE3, BSS126H6327XTSA2, BSS159NH6327XTSA2, CSD23202W10, FDG332PZ.
購入 Infineon Technologies BSC019N04NSGATMA1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。