| 製造業者識別番号 | BSC085N025S G |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 189180 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | BSC085N025S G.pdf |
| 部品番号 | BSC085N025S G |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 25V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Ta), 35A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 8.5 mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 25µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 14nC @ 5V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1800pF @ 15V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.8W (Ta), 52W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | BSC085N025S G |
QY Componentsには、最高の価格があります。 BSC085N025S G, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 BSC085N025S G, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます BSC085N025S G, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった BTS7904BATMA1, BTS7904SAKSA1, IRF8313PBF, IRF8513PBF, IRF8513TRPBF, BSD235C L6327, BSL214NL6327HTSA1, BSL316CL6327HTSA1, BTS3125EJXUMA1, BTS3207NHUMA1 CEDM8001VL TR, SSM3K59CTB,L3F, SSM6H19NU,LF, SSM6K504NU,LF, CEDM7004VL TR, RHK005N03T146, DMG6402LDM-7, RQ3E100BNTB, 6HP04CH-TL-W, RW1C025ZPT2CR.
購入 Infineon Technologies BSC085N025S G 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。