製造業者識別番号 | BSM200GB120DN2HOSA1 |
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メーカー | Infineon Technologies |
製品カテゴリ | トランジスタ - IGBT - モジュール |
利用可能な数量 | 21890 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | IGBT 2 MED POWER 62MM-1 |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | BSM200GB120DN2HOSA1.pdf |
部品番号 | BSM200GB120DN2HOSA1 |
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メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Not For New Designs |
IGBTタイプ | - |
構成 | Half Bridge |
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) | 1200V |
電流 - コレクタ(Ic)(最大) | 290A |
電力 - 最大 | 1400W |
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic | 3V @ 15V, 200A |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 4mA |
入力容量(Cies)@ Vce | 13nF @ 25V |
入力 | Standard |
NTCサーミスタ | No |
動作温度 | 150°C (TJ) |
取付タイプ | Chassis Mount |
パッケージ/ケース | Module |
サプライヤデバイスパッケージ | Module |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | BSM200GB120DN2HOSA1 |
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