| 製造業者識別番号 | BSP149H6327XTSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 136690 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | BSP149H6327XTSA1.pdf |
| 部品番号 | BSP149H6327XTSA1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 660mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 400µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 14nC @ 5V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 430pF @ 25V |
| FET機能 | Depletion Mode |
| 消費電力（最大） | 1.8W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | BSP149H6327XTSA1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 BSP149H6327XTSA1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 BSP149H6327XTSA1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます BSP149H6327XTSA1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった 1EDN7511BXTSA1, 1EDN8511BXTSA1, AUIRB24427S, BC817K25E6327HTSA1, BFN26E6327HTSA1, BC848AE6327HTSA1, BC847BE6433HTMA1, BC848BE6327HTSA1, BC848BE6433HTMA1, BC848CE6327HTSA1 PSMN1R0-30YLDX, IPC100N04S51R7ATMA1, IRLR3915TRPBF, FDM3622, IRFR214TRPBF, SI7421DN-T1-E3, BUK6610-75C,118, FDS86267P, SI4420DYTRPBF, SIR616DP-T1-GE3.
購入 Infineon Technologies BSP149H6327XTSA1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。