| 製造業者識別番号 | BSZ120P03NS3EGATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 98720 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | BSZ120P03NS3EGATMA1.pdf |
| 部品番号 | BSZ120P03NS3EGATMA1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 12 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.1V @ 73µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 45nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±25V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3360pF @ 15V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.1W (Ta), 52W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | BSZ120P03NS3EGATMA1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 BSZ120P03NS3EGATMA1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 BSZ120P03NS3EGATMA1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます BSZ120P03NS3EGATMA1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった IRSM515-035PA, IRSM515-025PA, IRSM515-055PA, IRSM515-055DA, IRSM505-055PA, IRSM505-055DA, IRSM505-065DA, IRSM515-065PA, IRSM515-065DA, BTM7750GPAUMA1 TK4R4P06PL,RQ, IRFR120TRLPBF, NTMFS5C423NLT1G, BUK9606-40B,118, TSM015NA03CR RLG, IPN80R600P7ATMA1, SVD5803NT4G, BUK768R3-60E,118, BUK965R4-40E,118, TSM045NB06CR RLG.
購入 Infineon Technologies BSZ120P03NS3EGATMA1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。