| 製造業者識別番号 | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - IGBT - モジュール |
| 利用可能な数量 | 130380 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | DF200R12W1H3B27BOMA1.pdf |
| 部品番号 | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | - |
| 構成 | 2 Independent |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 1200V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 30A |
| 電力 - 最大 | 375W |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 1.3V @ 15V, 30A |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 1mA |
| 入力容量（Cies）@ Vce | 2nF @ 25V |
| 入力 | Standard |
| NTCサーミスタ | Yes |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
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