Diodes Incorporated 配給業者 www.qycomp.com DMJ70H1D3SH3
製造業者識別番号DMJ70H1D3SH3
メーカーDiodes Incorporated
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量86650 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード DMJ70H1D3SH3.pdf

製品の属性

部品番号 DMJ70H1D3SH3
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 700V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 13.9nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 351pF @ 50V
FET機能 -
消費電力(最大) 41W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-251
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 DMJ70H1D3SH3

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