EPC 配給業者 www.qycomp.com EPC2108ENGRT
製造業者識別番号EPC2108ENGRT
メーカーEPC
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
利用可能な数量190070 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード EPC2108ENGRT.pdf

製品の属性

部品番号 EPC2108ENGRT
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET機能 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V, 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.7A, 500mA
Rds On(Max)@ Id、Vgs 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
電力 - 最大 -
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 9-VFBGA
サプライヤデバイスパッケージ 9-BGA (1.35x1.35)
重量 0.001 KG
応用 Email for details
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