EPC Distributore www.qycomp.com EPC2108ENGRT
Numero di parte del produttoreEPC2108ENGRT
fabbricanteEPC
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Quantità disponibile190070 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneTRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati EPC2108ENGRT.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte EPC2108ENGRT
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Caratteristica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V, 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Potenza - Max -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 9-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 9-BGA (1.35x1.35)
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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