| Numero di parte del produttore | EPC2108ENGRT |
|---|---|
| fabbricante | EPC |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Quantità disponibile | 190070 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | EPC2108ENGRT.pdf |
| Numero di parte | EPC2108ENGRT |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| Caratteristica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A, 500mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| Potenza - Max | - |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 9-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 9-BGA (1.35x1.35) |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | EPC2108ENGRT |
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