| 製造業者識別番号 | FCI25N60N-F102 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 162290 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | FCI25N60N-F102.pdf |
| 部品番号 | FCI25N60N-F102 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 125 mOhm @ 12.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 74nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3352pF @ 100V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 216W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | FCI25N60N-F102 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 FCI25N60N-F102, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 FCI25N60N-F102, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます FCI25N60N-F102, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 ON Semiconductor 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます ON Semiconductor そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった MMBZ5240ELT3G, MMBZ5242BLT3, MMBZ5242ELT3G, MMBZ5243ELT3G, MMBZ5244ELT3G, MMBZ5245BLT3G, MMBZ5245ELT3G, MMBZ5246ELT3G, MMBZ5247BLT3, MMBZ5247BLT3G IRFB42N20DPBF, TSM60NB150CF C0G, PSMN6R3-120PS, STU7N105K5, STI150N10F7, PSMN1R6-30PL,127, NTP6410ANG, PSMN4R4-80PS,127, TSM9N90ECI C0G, SIHJ10N60E-T1-GE3.
購入 ON Semiconductor FCI25N60N-F102 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。