| 製造業者識別番号 | FDB12N50UTM_WS |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 72750 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | FDB12N50UTM_WS.pdf |
| 部品番号 | FDB12N50UTM_WS |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 500V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 800 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1395pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 165W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | FDB12N50UTM_WS |
QY Componentsには、最高の価格があります。 FDB12N50UTM_WS, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 FDB12N50UTM_WS, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます FDB12N50UTM_WS, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 ON Semiconductor 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます ON Semiconductor そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった NSVBSS63LT1G, NSVMMBT6429LT1G, SBCW66GLT1G, MCH6103-TL-E, NSVT489AMT1G, S2SC4617G, NSVBCW68GLT1G, NCV5700DR2G, FAN73895MX, FAN73894MX FDC606P, FDD86381-F085, CMPDM202PH TR, FDC5612, IRFR9010TRPBF, NVTFS5C670NLTAG, PSMN2R9-30MLC,115, GKI04048, GKI06109, CSD17581Q3A.
購入 ON Semiconductor FDB12N50UTM_WS 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。