ON Semiconductor 配給業者 www.qycomp.com FDN359BN
製造業者識別番号FDN359BN
メーカーON Semiconductor
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量142710 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード FDN359BN.pdf

製品の属性

部品番号 FDN359BN
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 46 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 7nC @ 5V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 650pF @ 15V
FET機能 -
消費電力(最大) 500mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SuperSOT-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量 0.001 KG
応用 Email for details
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