| 製造業者識別番号 | FDP047AN08A0-F102 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 73390 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB-3 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | FDP047AN08A0-F102.pdf |
| 部品番号 | FDP047AN08A0-F102 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 75V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 310W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | FDP047AN08A0-F102 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 FDP047AN08A0-F102, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 FDP047AN08A0-F102, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます FDP047AN08A0-F102, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 ON Semiconductor 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます ON Semiconductor そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった NUP46V8P5T5G, SZSMS05T1G, SZESD8451N2T5G, TVS5501V10MUT5G, SZPACDN042Y3R, TVS4201MR6T1G, SZSMF15AT1G, NUP4103FCT1G, NUP2115LT3G, SMBJ7V0CA BUK9Y153-100E,115, FDS8878, AO4441, ZXMP4A57E6TA, CSD25484F4T, SISA18ADN-T1-GE3, TSM480P06CP ROG, DMN10H170SK3-13, SI4447ADY-T1-GE3, DMP3028LK3-13.
購入 ON Semiconductor FDP047AN08A0-F102 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。