| 製造業者識別番号 | FQD7N20TM_F080 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 32970 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | FQD7N20TM_F080.pdf |
| 部品番号 | FQD7N20TM_F080 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.3A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 690 mOhm @ 2.65A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 10nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | FQD7N20TM_F080 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 FQD7N20TM_F080, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 FQD7N20TM_F080, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます FQD7N20TM_F080, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 ON Semiconductor 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます ON Semiconductor そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった KSC815YTA, MMBT8099LT1G, PN2222ATF, MMBT5551M3T5G, BC549BTF, KSC1008GTA, MMBT4401M3T5G, PN2907ATAR, MMBT4403M3T5G, FAN7083MX-GF085 SIR802DP-T1-GE3, SI7820DN-T1-GE3, BUK9612-55B,118, RFD16N06LESM9A, IPD053N06NATMA1, AON7405, SQJ402EP-T1_GE3, SQD19P06-60L_GE3, STD7ANM60N, SI4459ADY-T1-GE3.
購入 ON Semiconductor FQD7N20TM_F080 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。