| 製造業者識別番号 | IPB024N10N5ATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 78650 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPB024N10N5ATMA1.pdf |
| 部品番号 | IPB024N10N5ATMA1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 180A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 2.4 mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.8V @ 183µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 138nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10200pF @ 50V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 250W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-7 |
| パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IPB024N10N5ATMA1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IPB024N10N5ATMA1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IPB024N10N5ATMA1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IPB024N10N5ATMA1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった IPG20N04S4L08ATMA1, IPG20N06S2L35AATMA1, AUIRF7103QTR, IPG20N04S408AATMA1, IR1155STRPBF, ICE3PCS01GXUMA1, TDA48632GXUMA2, IR1153STRPBF, TDA4862GGEGXUMA2, IRS2505LTRPBF DMP3056L-7, FDN335N, PMV30UN2R, IRLML6344TRPBF, DMP3130L-7, SI3456DDV-T1-GE3, DMP2123L-7, SI1032R-T1-GE3, SI1427EDH-T1-GE3, FDN340P.
購入 Infineon Technologies IPB024N10N5ATMA1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。