Infineon Technologies 配給業者 www.qycomp.com IPB80N08S2L07ATMA1
製造業者識別番号IPB80N08S2L07ATMA1
メーカーInfineon Technologies
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量15210 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IPB80N08S2L07ATMA1.pdf

製品の属性

部品番号 IPB80N08S2L07ATMA1
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 75V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 6.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 233nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5400pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 IPB80N08S2L07ATMA1

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