| 製造業者識別番号 | IPD082N10N3GBTMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 66840 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPD082N10N3GBTMA1.pdf |
| 部品番号 | IPD082N10N3GBTMA1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 8.2 mOhm @ 73A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 75µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 55nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3980pF @ 50V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 125W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IPD082N10N3GBTMA1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IPD082N10N3GBTMA1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IPD082N10N3GBTMA1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IPD082N10N3GBTMA1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった IRS2123STRPBF, IRS2124STRPBF, IRS2332DJTRPBF, IRS2330JTRPBF, IRS2332JTRPBF, IRS210614SPBF, IRS21850SPBF, IRS21856SPBF, BCX71KE6327HTSA1, BC817K40E6327HTSA1 RSL020P03FRATR, BUK6D43-40PX, SQ2361AEES-T1_GE3, DMN1032UCB4-7, NTMS4801NR2G, BUK9M10-30EX, SQ2398ES-T1_GE3, RS1E240BNTB, AOD5N40, DMN6040SFDE-7.
購入 Infineon Technologies IPD082N10N3GBTMA1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。