| 製造業者識別番号 | IPD50R1K4CEAUMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 36490 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPD50R1K4CEAUMA1.pdf |
| 部品番号 | IPD50R1K4CEAUMA1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 500V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.1A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.4 Ohm @ 900mA, 13V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 70µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 8.2nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 178pF @ 100V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 42W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IPD50R1K4CEAUMA1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IPD50R1K4CEAUMA1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IPD50R1K4CEAUMA1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IPD50R1K4CEAUMA1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった TLE7182EMXUMA1, IR2102STRPBF, IR2128SPBF, IR21834SPBF, IR2102SPBF, IR2130JPBF, BC817SUE6327HTSA1, BC857AE6327HTSA1, BC859CE6327HTSA1, BCW61CE6327HTSA1 IPP60R090CFD7XKSA1, FQA44N30, SIHG35N60E-GE3, IXFP72N30X3, STI30N65M5, IXFP72N30X3M, STI32N65M5, STFW38N65M5, SIHG40N60E-GE3, IPW60R090CFD7XKSA1.
購入 Infineon Technologies IPD50R1K4CEAUMA1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。