| 製造業者識別番号 | IPL65R660E6AUMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 59510 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 4VSON |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPL65R660E6AUMA1.pdf |
| 部品番号 | IPL65R660E6AUMA1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Last Time Buy |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 200µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 23nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 440pF @ 100V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 63W (Tc) |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | Thin-Pak (8x8) |
| パッケージ/ケース | 4-PowerTSFN |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IPL65R660E6AUMA1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IPL65R660E6AUMA1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IPL65R660E6AUMA1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IPL65R660E6AUMA1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった IRAMS06UP60B, IRAMS10UP60B, IRAMS06UP60A, IRAM109-015SD, IRAM136-1060B, IRAM336-025SB, IRAMS06UP60B-2, IRAMS10UP60A-2, IRAMS10UP60B-2, IRAMS10UP60B-3 SIHA21N60EF-E3, STP24N60DM2, IXFH16N50P, IPP015N04NGXKSA1, FCP16N60, IRFP3077PBF, STF16N50M2, TK25N60X,S1F, 2SK3746-1E, FQA8N100C.
購入 Infineon Technologies IPL65R660E6AUMA1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。