| 製造業者識別番号 | IPN80R900P7ATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 22100 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPN80R900P7ATMA1.pdf |
| 部品番号 | IPN80R900P7ATMA1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 800V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 900 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 110µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 350pF @ 500V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 7W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223 |
| パッケージ/ケース | SOT-223-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IPN80R900P7ATMA1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IPN80R900P7ATMA1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IPN80R900P7ATMA1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IPN80R900P7ATMA1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった BCX41E6433HTMA1, BC848BL3E6327XTMA1, BC847BL3E6327XTMA1, BC857BL3E6327XTMA1, SMBTA14E6327HTSA1, BCX42E6433HTMA1, MMBTA14LT1HTSA1, BCX5216H6433XTMA1, BCX5116H6433XTMA1, BCX51H6327XTSA1 IRFR320TRPBF, IRFRC20TRPBF, SI3430DV-T1-E3, SI7716ADN-T1-GE3, NTTFS5C454NLTAG, NTD6416ANLT4G, SQJ858AEP-T1_GE3, ZVN4206GVTA, SI7119DN-T1-E3, BSZ035N03MSGATMA1.
購入 Infineon Technologies IPN80R900P7ATMA1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。