| 製造業者識別番号 | IRF1503PBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 178160 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IRF1503PBF.pdf |
| 部品番号 | IRF1503PBF |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.3 mOhm @ 140A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 200nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5730pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 330W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IRF1503PBF |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IRF1503PBF, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IRF1503PBF, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IRF1503PBF, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった ESD8V0R1B02ELE6327XTMA1, BGF120AE6327XTSA1, ESD114U102ELE6327XTMA1, ESD112B102ELE6327XTMA1, ESD131B1W0201E6327XTSA1, ESD217B102ELE6327XTMA1, ESD207B102ELE6327XTMA1, ESD110B102ELE6327XTMA1, ESD101B102ELE6327XTMA1, ESD103B102ELE6327XTMA1 RSR015P03TL, DMN3024LK3-13, 1HN04CH-TL-W, DMG4712SSS-13, MTM761100LBF, CSD13383F4T, DMN10H170SVTQ-7, SI8457DB-T1-E1, BSC120N03LSGATMA1, QS5U13TR.
購入 Infineon Technologies IRF1503PBF 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。