Infineon Technologies 配給業者 www.qycomp.com IRFH5220TR2PBF
製造業者識別番号IRFH5220TR2PBF
メーカーInfineon Technologies
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量138300 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IRFH5220TR2PBF.pdf

製品の属性

部品番号 IRFH5220TR2PBF
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.8A (Ta), 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 99.9 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 100µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 30nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1380pF @ 50V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PQFN (5x6)
パッケージ/ケース 8-VQFN Exposed Pad
重量 0.001 KG
応用 Email for details
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