| 製造業者識別番号 | IXTD1R4N60P 11 |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 473295 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 600V |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IXTD1R4N60P 11.pdf |
| 部品番号 | IXTD1R4N60P 11 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 9 Ohm @ 700mA, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5.5V @ 25µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 5.2nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 140pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 50W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| パッケージ/ケース | Die |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IXTD1R4N60P 11 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IXTD1R4N60P 11, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IXTD1R4N60P 11, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IXTD1R4N60P 11, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 IXYS 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます IXYS そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった IXG611S1T/R, IXH611P1, IXH611S1, IXH611S1T/R, IXJ611P1, IXJ611S1, IXJ611S1T/R, IXK611P1, IXK611S1, IXK611S1T/R DMNH10H028SK3-13, DMTH6005LPS-13, FCD2250N80Z, DMTH6004SK3Q-13, IRFR110TRLPBF, ZXM64P02XTA, FQB11P06TM, FDMC7660S, FDD3690, IRF7495PBF.
購入 IXYS IXTD1R4N60P 11 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。