| 製造業者識別番号 | IXTF200N10T |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 67240 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IXTF200N10T.pdf |
| 部品番号 | IXTF200N10T |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 7 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 152nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9400pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 156W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOPLUS i4-PAC™ |
| パッケージ/ケース | i4-Pac™-5 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IXTF200N10T |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IXTF200N10T, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IXTF200N10T, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IXTF200N10T, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 IXYS 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます IXYS そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった VWO50-08IO7, MCC132-18IO1, VVZ110-12IO7, VWO40-12IO7, VWO50-12IO7, MCMA120UJ1800ED, VWO40-14IO7, VWO50-14IO7, VWO140-12IO1, VVZB135-16IOXT FDD86250, TP2510N8-G, ZVN3306A, ZVNL110A, ZVNL120A, ZVN3310A, TN0104N3-G, TN0110N3-G, FQB19N20LTM, FDB8896.
購入 IXYS IXTF200N10T 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。