| 製造業者識別番号 | N0412N-S19-AY |
|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics America |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 105830 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | N0412N-S19-AY.pdf |
| 部品番号 | N0412N-S19-AY |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.7 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 100nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5550pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.5W (Ta), 119W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | N0412N-S19-AY |
QY Componentsには、最高の価格があります。 N0412N-S19-AY, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 N0412N-S19-AY, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます N0412N-S19-AY, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Renesas Electronics America 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Renesas Electronics America そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった R5F100LCAFB#V0, R5F100AEASP#X0, R5F10RLCAFB#V0, R5F104ADASP#X0, R5F100GEAFB#V0, R5F11BGCAFB#50, R5F104GEAFB#V0, R5F100JEAFA#V0, R5F100LEAFB#V0, R5F104LEAFB#V0 IPD90N04S4L04ATMA1, FDS9431A-F085, STD30N6LF6AG, TSM60NB600CP ROG, TSM60NB900CP ROG, NVMFS5826NLT1G, PSMN1R7-25YLDX, TSM160N10LCR RLG, RD3H045SPTL1, BUK768R1-40E,118.
購入 Renesas Electronics America N0412N-S19-AY 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。