| 製造業者識別番号 | NP80N055NDG-S18-AY |
|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics America |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 105690 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | NP80N055NDG-S18-AY.pdf |
| 部品番号 | NP80N055NDG-S18-AY |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Last Time Buy |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 55V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6.9 mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 135nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6900pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.8W (Ta), 115W (Tc) |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | NP80N055NDG-S18-AY |
QY Componentsには、最高の価格があります。 NP80N055NDG-S18-AY, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 NP80N055NDG-S18-AY, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます NP80N055NDG-S18-AY, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Renesas Electronics America 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Renesas Electronics America そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった RJK6002DPH-E0#T2, RJK6032DPD-00#J2, UPA2822T1L-E1-AT, RJK03M5DPA-00#J5A, RJK03M4DPA-00#J5A, RJK0393DPA-00#J5A, RJK03M3DPA-00#J5A, RJK03M2DPA-00#J5A, N0434N-S23-AY, N0604N-S19-AY SI7121DN-T1-GE3, FDMS8570S, STD7NK40ZT4, NTMFS4C55NT1G, SI5418DU-T1-GE3, STD47N10F7AG, FDD5N50FTM-WS, NTD4804NT4G, FDD13AN06A0-F085, FDMS86569-F085.
購入 Renesas Electronics America NP80N055NDG-S18-AY 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。