| 製造業者識別番号 | NVD5863NLT4G-VF01 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 110980 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | NVD5863NLT4G-VF01.pdf |
| 部品番号 | NVD5863NLT4G-VF01 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14.9A (Ta), 82A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 7.1 mOhm @ 41A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 70nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3850pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.1W (Ta), 96W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | NVD5863NLT4G-VF01 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 NVD5863NLT4G-VF01, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 NVD5863NLT4G-VF01, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます NVD5863NLT4G-VF01, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 ON Semiconductor 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます ON Semiconductor そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった BC308ABU, BC308ATA, BC308ATF, BC308BBU, BC308BTA, BC308BU, BC308CBU, BC308TA, BC327TA, BC327TAR IPS80R750P7AKMA1, STP3NK60Z, TSM70N900CH C5G, SQR70090ELR_GE3, STF2N62K3, STP4N52K3, IRFU9014PBF, IRLU110PBF, IRFU310PBF, IRF9Z34STRRPBF.
購入 ON Semiconductor NVD5863NLT4G-VF01 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。