| 製造業者識別番号 | PHD3055E,118 |
|---|---|
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 97720 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | PHD3055E,118.pdf |
| 部品番号 | PHD3055E,118 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10.3A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 150 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 5.8nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 250pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 33W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | PHD3055E,118 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 PHD3055E,118, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 PHD3055E,118, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます PHD3055E,118, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 NXP USA Inc. 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます NXP USA Inc. そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった MC15XS3400DHFKR2, MC17XS6400BEKR2, MC10XS3412CHFKR2, MC10XS3412JHFKR2, MC17XS6500BEKR2, MC35XS3500HFK, MC16XSD200FKR2, MRFG35003NR5, MRFG35010NR5, MRFG35002N6R5 SI7190DP-T1-GE3, STB19NF20, STD65N55LF3, BUK964R8-60E,118, STD150N3LLH6, FQD4P40TM, STD8N65M5, CSD18509Q5B, STP16NF06, IRF9Z34NPBF.
購入 NXP USA Inc. PHD3055E,118 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。