製造業者識別番号 | PMXB360ENEAZ |
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メーカー | Nexperia USA Inc. |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
利用可能な数量 | 136180 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | PMXB360ENEAZ.pdf |
部品番号 | PMXB360ENEAZ |
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メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 80V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.1A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 450 mOhm @ 1.1A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.7V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 4.5nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 130pF @ 40V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 400mW (Ta), 6.25W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | DFN1010D-3 |
パッケージ/ケース | 3-XDFN Exposed Pad |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | PMXB360ENEAZ |
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