_SOT226%20Pkg.jpg)
| 製造業者識別番号 | PSMN6R3-120ESQ |
|---|---|
| メーカー | Nexperia USA Inc. |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 52180 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | PSMN6R3-120ESQ.pdf |
| 部品番号 | PSMN6R3-120ESQ |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 120V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 70A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6.7 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 207.1nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11384pF @ 60V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 405W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | PSMN6R3-120ESQ |
QY Componentsには、最高の価格があります。 PSMN6R3-120ESQ, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 PSMN6R3-120ESQ, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます PSMN6R3-120ESQ, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Nexperia USA Inc. 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Nexperia USA Inc. そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった BZX84-C5V1/DG/B3,2, BZX84-C5V1/DG/B3R, BZX84-C5V6/DG/B3,2, BZX84-C5V6/DG/B3:2, BZX84-C6V2/DG/B3,2, BZX84-C6V2/DG/B3:2, BZX84-C6V8/DG/B3,2, BZX84-C7V5/DG/B3,2, BZX84-C8V2/DG/B3,2, BZX84-C8V2/DG/B3:2 FDS9400A, AON7418, IRFR310TRPBF, FQD12P10TM-F085, SIA426DJ-T1-GE3, AO4402, SI4156DY-T1-GE3, SQ4431EY-T1_GE3, NTMFS5832NLT1G, ZVNL120GTA.
購入 Nexperia USA Inc. PSMN6R3-120ESQ 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。