| 製造業者識別番号 | RN1706JE(TE85L,F) |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス |
| 利用可能な数量 | 65660 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | RN1706JE(TE85L,F).pdf |
| 部品番号 | RN1706JE(TE85L,F) |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Discontinued at Digi-Key |
| トランジスタタイプ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 100mA |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 100nA (ICBO) |
| 周波数 - 遷移 | 250MHz |
| 電力 - 最大 | 100mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-553 |
| サプライヤデバイスパッケージ | ESV |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | RN1706JE(TE85L,F) |
QY Componentsには、最高の価格があります。 RN1706JE(TE85L,F), 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 RN1706JE(TE85L,F), あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます RN1706JE(TE85L,F), 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス 私たちから。 といった TB67S102AFNG,EL, RN1104MFV,L3F, RN1110MFV,L3F, RN1117MFV,L3F, RN1111MFV,L3F, RN1113MFV,L3F, RN1116MFV,L3F, RN1118MFV,L3F, RN1119MFV,L3F, RN1132MFV,L3F IMH3AT110, UMG4NTR, UMG3NTR, EMG5T2R, DCX4710H-7, EMH2T2R, EMB2T2R, IMH1AT110, DMA261050R, DMA261000R.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage RN1706JE(TE85L,F) 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。