製造業者識別番号 | RN1968(TE85L,F) |
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メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
製品カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ(BJT) - アレイ、プリバイアス |
利用可能な数量 | 163570 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | RN1968(TE85L,F).pdf |
部品番号 | RN1968(TE85L,F) |
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メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Active |
トランジスタタイプ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
電流 - コレクタ(Ic)(最大) | 100mA |
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce飽和(最大)@Ib、Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) |
周波数 - 遷移 | 250MHz |
電力 - 最大 | 200mW |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
サプライヤデバイスパッケージ | US6 |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | RN1968(TE85L,F) |
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