| 製造業者識別番号 | RS1E200BNTB |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 61260 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | RS1E200BNTB.pdf |
| 部品番号 | RS1E200BNTB |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.9 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 59nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3100pF @ 15V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3W (Ta), 25W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSOP |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | RS1E200BNTB |
QY Componentsには、最高の価格があります。 RS1E200BNTB, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 RS1E200BNTB, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます RS1E200BNTB, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Rohm Semiconductor 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Rohm Semiconductor そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった TCM0G336M8R, TCP0G156M8R, TCM0G226M8R, TCFGB1C335M8R, TCM0G106M8R, TCFGB1A106M8R, TCFGB0G107M8R, TCFGB1C685M8R, TCFGB0J107M8R, TCFGB0J336M8R TN2524N8-G, STD7NM60N, SI7460DP-T1-GE3, SI7460DP-T1-E3, BSC009NE2LSATMA1, SI4190ADY-T1-GE3, IRFZ44ZSTRRPBF, AOD11S60, FDMS6681Z, FDMS2672.
購入 Rohm Semiconductor RS1E200BNTB 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。