| 製造業者識別番号 | SI3812DV-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 48600 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SI3812DV-T1-GE3.pdf |
| 部品番号 | SI3812DV-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Vgs（最大） | ±12V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| FET機能 | Schottky Diode (Isolated) |
| 消費電力（最大） | 830mW (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SI3812DV-T1-GE3 |
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