| 製造業者識別番号 | SI4101DY-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 173260 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SI4101DY-T1-GE3.pdf |
| 部品番号 | SI4101DY-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25.7A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 203nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8190pF @ 15V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.9W (Ta), 6W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SI4101DY-T1-GE3 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 SI4101DY-T1-GE3, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 SI4101DY-T1-GE3, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます SI4101DY-T1-GE3, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Vishay Siliconix 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Vishay Siliconix そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった VJ1206Y472KXQPW1BC, VJ1206Y472KXXPW1BC, VJ1206Y472MXAPW1BC, VJ1206Y682KXAPW1BC, VJ1206Y682KXXPW1BC, VJ1206Y682MXAPW1BC, VJ1206Y682MXXPW1BC, K181J15C0GH53H5, K181J15C0GH53L2, K181J15C0GH5TH5 DI9430T, IRF7404PBF, PSMN1R4-30YLDX, IRFR120ZPBF, BUK9Y7R2-60E,115, FDD8770, DMNH6042SPDQ-13, FQD2N60CTM-WS, DMT6010LPS-13, IRLR3410PBF.
購入 Vishay Siliconix SI4101DY-T1-GE3 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。