| 製造業者識別番号 | SI5857DU-T1-E3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 95660 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SI5857DU-T1-E3.pdf |
| 部品番号 | SI5857DU-T1-E3 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±12V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 480pF @ 10V |
| FET機能 | Schottky Diode (Isolated) |
| 消費電力（最大） | 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® ChipFet Dual |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SI5857DU-T1-E3 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 SI5857DU-T1-E3, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 SI5857DU-T1-E3, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます SI5857DU-T1-E3, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Vishay Siliconix 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Vishay Siliconix そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった CDR32BX472BKWSAT, VY1680K31Y5SQ63V0, CDR32BX223AKWSAT, CDR04BX104AKWSAT, CDR03BX683AKWSAT, AY2332M41Y5US63L7, VJ1825Y104KXEAT, VY2392M43Y5US63V7, VJ1210A101JXGAT5Z, VJ1210Y104KBBAT4X STW45N60DM2AG, IRLSL4030PBF, FDA50N50, STW43N60DM2, STP32NM50N, IRFPC60LCPBF, SIHP33N60E-GE3, STF21N65M5, FQA30N40, FQA55N25.
購入 Vishay Siliconix SI5857DU-T1-E3 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。