Vishay Siliconix 配給業者 www.qycomp.com SI7726DN-T1-GE3
製造業者識別番号SI7726DN-T1-GE3
メーカーVishay Siliconix
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量466031 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード SI7726DN-T1-GE3.pdf

製品の属性

部品番号 SI7726DN-T1-GE3
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 9.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.6V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 43nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1765pF @ 15V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
動作温度 -50°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 SI7726DN-T1-GE3

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