| 製造業者識別番号 | SI8410DB-T2-E1 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 125220 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SI8410DB-T2-E1.pdf |
| 部品番号 | SI8410DB-T2-E1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 850mV @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 16nC @ 8V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 620pF @ 10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-Micro Foot (1x1) |
| パッケージ/ケース | 4-UFBGA |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SI8410DB-T2-E1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 SI8410DB-T2-E1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 SI8410DB-T2-E1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます SI8410DB-T2-E1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Vishay Siliconix 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Vishay Siliconix そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった MKP385362025JBI2B0, MKP385368025JBI2B0, F339X121033MCI2B0, F339X121033MCM2B0, F339X121033MDA2B0, F339X121033MDI2B0, F339X121033MDM2B0, F339X121048MDI2B0, F339X121048MDM2B0, F339X121533MCA2B0 PSMN2R9-30MLC,115, GKI04048, GKI06109, CSD17581Q3A, DMP3018SFK-7, FDMC8588, NTTFS4C06NTAG, FDMS5362L-F085, CSD17581Q3AT, NVD5C668NLT4G.
購入 Vishay Siliconix SI8410DB-T2-E1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。