Vishay Siliconix 配給業者 www.qycomp.com SIHD2N80E-GE3
製造業者識別番号SIHD2N80E-GE3
メーカーVishay Siliconix
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量170760 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード SIHD2N80E-GE3.pdf

製品の属性

部品番号 SIHD2N80E-GE3
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 800V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.75 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 19.6nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 315pF @ 100V
FET機能 -
消費電力(最大) 62.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D-PAK (TO-252AA)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 0.001 KG
応用 Email for details
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