| 製造業者識別番号 | SIHG20N50E-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 109700 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SIHG20N50E-GE3.pdf |
| 部品番号 | SIHG20N50E-GE3 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 500V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 19A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 184 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 92nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1640pF @ 100V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 179W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SIHG20N50E-GE3 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 SIHG20N50E-GE3, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 SIHG20N50E-GE3, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます SIHG20N50E-GE3, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Vishay Siliconix 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Vishay Siliconix そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった VJ0402Y103KXJPW1BC, VJ0402Y103KXQPW1BC, VJ0402Y103KXXPW1BC, VJ0402Y103MXJPW1BC, VJ0402Y103MXQPW1BC, VJ0402Y103MXXPW1BC, VJ0805A3R3DXJPW1BC, VJ0805Y101MXJPW1BC, VJ0805Y121MXJPW1BC, VJ0805Y121MXQPW1BC RTF010P02TL, NTLUS3A18PZTAG, BSS192,115, PSMN4R5-30YLC,115, SIS478DN-T1-GE3, RUR040N02TL, FK3P02110L, SK830321KL, FDMS0312S, SI8497DB-T2-E1.
購入 Vishay Siliconix SIHG20N50E-GE3 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。