| 製造業者識別番号 | SIHP6N80E-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 14510 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SIHP6N80E-GE3.pdf |
| 部品番号 | SIHP6N80E-GE3 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 800V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 940 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 44nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 827pF @ 100V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 78W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SIHP6N80E-GE3 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 SIHP6N80E-GE3, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 SIHP6N80E-GE3, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます SIHP6N80E-GE3, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Vishay Siliconix 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Vishay Siliconix そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった GA1206A4R7DXCBC31G, GA1206A4R7DXEBC31G, GA1206A4R7DXLBC31G, GA1206A5R6DXABC31G, GA1206A5R6DXBBC31G, GA1206A5R6DXCBC31G, GA1206A5R6DXEBC31G, GA1206A5R6DXLBC31G, GA1206A6R8DXABC31G, GA1206A6R8DXBBC31G ZVN3306A, ZVNL110A, ZVNL120A, ZVN3310A, TN0104N3-G, TN0110N3-G, FQB19N20LTM, FDB8896, SI4490DY-T1-E3, IRFH5053TRPBF.
購入 Vishay Siliconix SIHP6N80E-GE3 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。