| 製造業者識別番号 | SIR882DP-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 140830 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SIR882DP-T1-GE3.pdf |
| 部品番号 | SIR882DP-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 8.7 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.8V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 58nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1930pF @ 50V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SIR882DP-T1-GE3 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 SIR882DP-T1-GE3, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 SIR882DP-T1-GE3, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます SIR882DP-T1-GE3, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Vishay Siliconix 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Vishay Siliconix そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった GA0805H562KXBBC31G, GA0805H562KXXBC31G, GA0805H562MXABC31G, GA0805H562MXBBC31G, GA0805H562MXXBC31G, GA0805Y224KXJBT31G, GA0805Y224KXXBT31G, GA0805Y224MXJBT31G, GA0805Y224MXXBT31G, GA0805Y274KXJBT31G RS3E075ATTB, SIS435DNT-T1-GE3, CMUDM8004 TR, DMN6066SSS-13, FDME820NZT, CSD18541F5T, ZXMN2B14FHTA, AON6792, SVD5865NLT4G, AO4486.
購入 Vishay Siliconix SIR882DP-T1-GE3 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。