| 製造業者識別番号 | SIRA32DP-T1-RE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 155020 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SIRA32DP-T1-RE3.pdf |
| 部品番号 | SIRA32DP-T1-RE3 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 25V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.2 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 83nC @ 10V |
| Vgs（最大） | +16V, -12V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4450pF @ 10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 65.7W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SIRA32DP-T1-RE3 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 SIRA32DP-T1-RE3, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 SIRA32DP-T1-RE3, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます SIRA32DP-T1-RE3, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Vishay Siliconix 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Vishay Siliconix そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった MKP385230063JB02W0, MKP385233063JCA2B0, MKP385233063JCI2B0, MKP385233063JCM2B0, MKP385236063JCA2B0, MKP385236063JCI2B0, MKP385236063JCM2B0, MKP385239063JCA2B0, MKP385239063JCI2B0, MKP385239063JCM2B0 FDD8896-F085, RMW180N03TB, RQ3E075ATTB, DMT10H015LSS-13, BUK9230-100B,118, SI8410DB-T2-E1, SQJA92EP-T1_GE3, SISS98DN-T1-GE3, SQJA04EP-T1_GE3, SI4431CDY-T1-E3.
購入 Vishay Siliconix SIRA32DP-T1-RE3 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。