| 製造業者識別番号 | SIS184DN-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 32590 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212- |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SIS184DN-T1-GE3.pdf |
| 部品番号 | SIS184DN-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17.4A (Ta), 65.3A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 5.8 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 32nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1490pF @ 30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8S |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8S |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SIS184DN-T1-GE3 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 SIS184DN-T1-GE3, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 SIS184DN-T1-GE3, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます SIS184DN-T1-GE3, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Vishay Siliconix 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Vishay Siliconix そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった GA1206A150KBCBT31G, GA1206A150KBEBT31G, GA1206A150KBLBT31G, GA1206A180JBABT31G, GA1206A180JBBBT31G, GA1206A180JBCBT31G, GA1206A180KBABT31G, GA1206A180KBBBT31G, GA1206A180KBCBT31G, GA1206A180KBEBT31G IPP052NE7N3GXKSA1, STB270N4F3, IRF7759L2TRPBF, FQP3P50, IRF7779L2TRPBF, NDP6060L, IXTY01N100D, IPB90R340C3ATMA1, IRFP250NPBF, FDPF18N50.
購入 Vishay Siliconix SIS184DN-T1-GE3 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。