| 製造業者識別番号 | SPB11N60C3ATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 72450 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SPB11N60C3ATMA1.pdf |
| 部品番号 | SPB11N60C3ATMA1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.9V @ 500µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 60nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1200pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 125W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SPB11N60C3ATMA1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 SPB11N60C3ATMA1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 SPB11N60C3ATMA1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます SPB11N60C3ATMA1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった BCR141E6327HTSA1, IRMCK099M, IRMCF171TY, IM512L6AXKMA1, IM513L6AXKMA1, TLE62083GXUMA1, TLE4208GXUMA1, TLE8444SLXUMA1, BCR523E6327HTSA1, BCR133E6327HTSA1 FCH22N60N, STI270N4F3, STP160N75F3, STFI260N6F6, SIHG16N50C-E3, STF23NM50N, IPW60R125CFD7XKSA1, IXTA140N12T2, SIHG23N60E-GE3, SIHP12N50C-E3.
購入 Infineon Technologies SPB11N60C3ATMA1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。