| 製造業者識別番号 | SSM3J306T(TE85L,F) |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 168370 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SSM3J306T(TE85L,F).pdf |
| 部品番号 | SSM3J306T(TE85L,F) |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.4A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 117 mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 2.5nC @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 280pF @ 15V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 700mW (Ta) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSM |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SSM3J306T(TE85L,F) |
QY Componentsには、最高の価格があります。 SSM3J306T(TE85L,F), 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 SSM3J306T(TE85L,F), あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます SSM3J306T(TE85L,F), 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった 2SC2655-O(TE6,F,M), 2SC2655-O,F(J, 2SC2655-Y(6MBH1,AF, 2SC2655-Y(HIT,F,M), 2SC2655-Y(T6CANOFM, 2SC2655-Y(T6CN,A,F, 2SC2655-Y(T6ND1,AF, 2SC2655-Y(T6ND2,AF, 2SC2655-Y(T6ND3,AF, 2SC2655-Y(T6OMI,FM AON7534, SIA459EDJ-T1-GE3, SQ2351ES-T1_GE3, AO4576, AON2403, FDC634P, SISA72DN-T1-GE3, IPN60R2K1CEATMA1, SI1050X-T1-GE3, SIB456DK-T1-GE3.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J306T(TE85L,F) 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。