.jpg)
| 製造業者識別番号 | SSM6J502NU,LF(T |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 69380 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SSM6J502NU,LF(T.pdf |
| 部品番号 | SSM6J502NU,LF(T |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 23.1 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 24.8nC @ 4.5V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1800pF @ 10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1W (Ta) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-UDFNB (2x2) |
| パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SSM6J502NU,LF(T |
QY Componentsには、最高の価格があります。 SSM6J502NU,LF(T, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 SSM6J502NU,LF(T, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます SSM6J502NU,LF(T, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった 2SB1457(T6DW,F,M), 2SB1457(TE6,F,M), 2SB1457,T6TOTOF(J, 2SB1457,T6YMEF(M, 2SB1481(TOJS,Q,M), 2SB1495,Q(J, 2SB1495,Q(M, 2SC1627A-O,PASF(M, 2SC1627A-Y,PASF(M, 2SC2229(TE6SAN1F,M PSMN5R0-100ES,127, SIHA15N65E-GE3, STW37N60DM2AG, STI14NM50N, NTP5860NG, AUIRFS8407, STP100NF04, SUP90142E-GE3, SIHG14N50D-GE3, TK12E80W,S1X.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J502NU,LF(T 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。