STMicroelectronics 配給業者 www.qycomp.com STB35N60DM2
製造業者識別番号STB35N60DM2
メーカーSTMicroelectronics
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量71030 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET N-CH 600V 28A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード STB35N60DM2.pdf

製品の属性

部品番号 STB35N60DM2
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 110 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 54nC @ 10V
Vgs(最大) ±25V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2400pF @ 100V
FET機能 -
消費電力(最大) 210W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 0.001 KG
応用 Email for details
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