| 製造業者識別番号 | TK18E10K3,S1X(S |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 96530 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | TK18E10K3,S1X(S.pdf |
| 部品番号 | TK18E10K3,S1X(S |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 42 mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 33nC @ 10V |
| Vgs（最大） | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | TK18E10K3,S1X(S |
QY Componentsには、最高の価格があります。 TK18E10K3,S1X(S, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 TK18E10K3,S1X(S, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます TK18E10K3,S1X(S, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった TB62218AFG,C8,EL, TC78B015FTG,EL, TB67S101AFNG,EL, TB67H452FTG,EL, TB62213AFG,C8,EL, TC78S121FNG,EL, TB67S149FG,EL, TC78S122FNG,EL, TB67S128FTG(O,EL), TB67H410NG FDB33N25TM, IPD200N15N3GATMA1, IRF540NPBF, STL8N10LF3, SI7469DP-T1-E3, PSMN3R3-80BS,118, DMTH6004SCTB-13, AON6290, CSD19531Q5AT, BSC014N04LSIATMA1.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage TK18E10K3,S1X(S 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。